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    拥有一流的技术人员,完整的植球工艺,特别是对TI系列PAD内凹封装芯片植球有独到的工艺,完美地解决了小间距POP芯片植球难题,目前在国内外处在领先地位。

植球工艺宝典:

A、*一步,要分清IC是有铅还是无铅工艺,否则IC污染后达不到RoHS要求,造成的后果极为严重;

B、第二步,植球前要做好烘烤,IC的封装材料一般为塑料或陶瓷,在室温下容易吸潮,如果在植球前没有烘烤,极易导致IC分层损坏芯片,行 业俗称“爆米花”现象;

C、植球后,焊接要根据锡球的化学成份,设置好相应的温度,否则容易造成植球不牢、不直、球不圆等不良现象;Ⅰ)有铅锡球(Sn63Pb37,锡63%铅37%)熔点183℃。Ⅱ)无铅锡球(Sn96.5AG3Cu0.5,锡96.5%银3%铜0.5%)熔点217℃。

D、植好球的IC一般要做短时间的烘烤,以去除IC表面吸附的湿汽,烘烤完成后要及时放入防潮箱、真空包装或卷带包装,以免回潮导致IC贴装时分层损坏IC;

 
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